AGSe(AgGaSe2) স্ফটিক
DIEN টেক প্রদান করে AgGaSe2 (AGSe) ক্রিস্টালের ব্যান্ড প্রান্ত 0.73 এবং 18 µm।এর দরকারী ট্রান্সমিশন রেঞ্জ (0.9-16 µm) এবং প্রশস্ত ফেজ ম্যাচিং ক্ষমতা বিভিন্ন লেজার দ্বারা পাম্প করা হলে OPO অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য চমৎকার সম্ভাবনা প্রদান করে।
AgGaSe2 (AGSe) 2.05 µm এ Ho:YLF লেজার দ্বারা পাম্প করার সময় 2.5-12 µm মধ্যে ক্রিস্টাল টিউনিং পাওয়া গেছে;পাশাপাশি 1.4-1.55 µm এ পাম্প করার সময় 1.9–5.5 µm এর মধ্যে নন-ক্রিটিকাল ফেজ ম্যাচিং (NCPM) অপারেশন।
AgGaSe2 (AGSe) স্ফটিকগুলি ইনফ্রারেড CO2 লেজার বিকিরণের জন্য একটি দক্ষ ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ স্ফটিক হিসাবে প্রদর্শিত হয়েছে।
AGSe এর আবেদন:
• CO এবং CO2-তে জেনারেশন দ্বিতীয় হারমোনিক্স - লেজার
• অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
• 18 um পর্যন্ত মধ্যম ইনফ্রারেড অঞ্চলে বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর।
• মধ্যম IR অঞ্চলে ফ্রিকোয়েন্সি মিক্সিং
স্ট্যান্ডার্ড ক্রস বিভাগগুলি হল 8x 8 মিমি, 5 x 5 মিমি, ক্রিস্টাল দৈর্ঘ্য 1 থেকে 30 মিমি পর্যন্ত।কাস্টম মাপ অনুরোধে পাওয়া যায়.
| মৌলিক বৈশিষ্ট্য | |
| স্ফটিক গঠন | টেট্রাগোনাল |
| সেল প্যারামিটার | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| গলনাঙ্ক | 851 °সে |
| ঘনত্ব | 5.700 গ্রাম/সেমি3 |
| মোহস কঠোরতা | 3-3.5 |
| শোষণ গুণাঙ্ক | <0.05 cm-1 @ 1.064 µm <0.02 cm-1 @ 10.6 µm |
| আপেক্ষিক অস্তরক ধ্রুবক @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| তাপ সম্প্রসারণ সহগ | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| তাপ পরিবাহিতা | 1.0 W/M/°C |
| রৈখিক অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য | ||
| স্বচ্ছতা পরিসীমা | 0.73-18.0 um | |
| প্রতিসরাঙ্ক সূচক @ 1.064 um @ 5.300 um @ 10.60 um | no 2.7010 2.6134 2.5912 | ne 2.6792 2.5808 2.5579 |
| থার্মো-অপটিক সহগ | dno/dt=15.0 x 10-5/°C dne/dt=15.0 x 10-5/°C | |
| সেলমেয়ার সমীকরণ ( ʎ উম) | no2=4.6453+2.2057/(1-0.1879/ʎ2)+1.8577/(1-1600/ʎ2) ne2=5.2912+1.3970/(1-0.2845/ʎ2)+1.9282/(1-1600) | |
| অরৈখিক অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য | |
| NLO সহগ @ 10.6 um | d36=d24=d15=39.5 pm/V |
| রৈখিক ইলেক্ট্রো-অপটিক সহগ | Y41T=4.5 pm/V Y63T=3.9 pm/V |
| ক্ষতি থ্রেশহোল্ড @ ~ 10 ns, 1.064 um | 20-30 মেগাওয়াট/সেমি2(পৃষ্ঠ) |
| প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য | |
| মাত্রা সহনশীলতা | (W +/-0.1 মিমি) x (H +/-0.1 মিমি) x (L + 1 মিমি/-0.5 মিমি) |
| ছিদ্র পরিষ্কার করুন | > 90% কেন্দ্রীয় এলাকা |
| সমতলতা | T>=1 মিমি এর জন্য λ/8 @ 633 nm |
| সারফেস কোয়ালিটি | লেপের পরে 60-40 স্ক্র্যাচ/খনন করুন |
| সমান্তরালতা | 30 আর্ক সেকেন্ডের চেয়ে ভাল |
| লম্বতা | 10 আর্ক মিনিট |
| অভিমুখী নির্ভুলতা | <30'' |
| মডেল | পণ্য | আকার | ওরিয়েন্টেশন | পৃষ্ঠতল | মাউন্ট | পরিমাণ |
| DE0688 | AGSe | 5*5*0.5 মিমি | θ=45°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0160 | AGSe | 5*5*1.5 মিমি | θ=58.8°φ=0° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 2 |
| DE0161 | AGSe | 5*5*1.5 মিমি | θ=52°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0324-2 | AGSe | 5*5*1 মিমি | θ=53.3°φ=0° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 2 |
| DE0324-3 | AGSe | 5*5*1 মিমি | θ=65°φ=0° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 2 |
| DE0687 | AGSe | 5*5*1 মিমি | θ=45°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0324 | AGSe | 5*5*2 মিমি | θ=53.1°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0464 | AGSe | 5*6*0.5 মিমি | θ=45°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 3 |
| DE0464-1 | AGSe | 5*6*1 মিমি | θ=45°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 2 |
| DE0442 | AGSe | 6*6*1.6 মিমি | θ=41.9°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 2 |
| DE0139 | AGSe | 8*8*1.5 মিমি | θ=53.1°φ=45° | উভয় পক্ষই পালিশ | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0214 | AGSe | 8*8*12 মিমি | θ=52°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
| DE0372 | AGSe | 9.5*8*12মিমি | θ=49°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | আনমাউন্ট করা হয়েছে | 1 |
-
ফোন
ফোন
-
ইমেইল
ইমেইল
-
হোয়াটসঅ্যাপ
হোয়াটসঅ্যাপ
-
Wechat
Wechat
-
শীর্ষ
