উইন্ডোজ

সিলিকন একটি মনো ক্রিস্টাল যা প্রাথমিকভাবে সেমি-কন্ডাক্টরে ব্যবহৃত হয় এবং এটি 1.2μm থেকে 6μm IR অঞ্চলে শোষণ না করে।এটি এখানে আইআর অঞ্চলের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি অপটিক্যাল উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়।


  • উপাদান:সি
  • ব্যাস সহনশীলতা:+0.0/-0.1 মিমি
  • বেধ সহনশীলতা:±0.1 মিমি
  • পৃষ্ঠ নির্ভুলতা: λ/4@632.8nm 
  • সমান্তরালতা: <1'
  • পৃষ্ঠ গুণমান:60-40
  • ছিদ্র পরিষ্কার করুন:>90%
  • বেভেলিং: <0.2×45°
  • আবরণ:নিজস্ব নকশা
  • পণ্য বিবরণী

    প্রযুক্তিগত পরামিতি

    পরিক্ষার ফল

    সিলিকন একটি মনো ক্রিস্টাল যা প্রাথমিকভাবে সেমি-কন্ডাক্টরে ব্যবহৃত হয় এবং এটি 1.2μm থেকে 6μm IR অঞ্চলে শোষণ না করে।এটি এখানে আইআর অঞ্চলের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি অপটিক্যাল উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়।
    সিলিকন একটি অপটিক্যাল উইন্ডো হিসাবে প্রাথমিকভাবে 3 থেকে 5 মাইক্রন ব্যান্ডে এবং অপটিক্যাল ফিল্টার তৈরির জন্য একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহৃত হয়।পালিশ মুখ সহ সিলিকনের বড় ব্লকগুলিও পদার্থবিদ্যা পরীক্ষায় নিউট্রন লক্ষ্য হিসাবে নিযুক্ত করা হয়।
    সিলিকন Czochralski pulling কৌশল (CZ) দ্বারা জন্মায় এবং এতে কিছু অক্সিজেন থাকে যা 9 মাইক্রন এ শোষণ ব্যান্ড সৃষ্টি করে।এটি এড়াতে, সিলিকন একটি ফ্লোট-জোন (FZ) প্রক্রিয়া দ্বারা প্রস্তুত করা যেতে পারে।10 মাইক্রনের উপরে সর্বোত্তম সংক্রমণের জন্য অপটিক্যাল সিলিকন সাধারণত হালকাভাবে ডোপ করা হয় (5 থেকে 40 ওহম সেমি)।সিলিকনের আরও একটি পাস ব্যান্ড রয়েছে 30 থেকে 100 মাইক্রন যা শুধুমাত্র অত্যন্ত উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতাহীন উপাদানে কার্যকর।ডোপিং সাধারণত বোরন (পি-টাইপ) এবং ফসফরাস (এন-টাইপ) হয়।
    আবেদন:
    • 1.2 থেকে 7 μm NIR অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ
    • ব্রডব্যান্ড 3 থেকে 12 μm অ্যান্টি-রিফ্লেকশন লেপ
    • ওজন সংবেদনশীল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ
    বৈশিষ্ট্য:
    • এই সিলিকন উইন্ডোগুলি 1µm অঞ্চলে বা নীচে প্রেরণ করে না, তাই এর প্রধান প্রয়োগ হল IR অঞ্চলে৷
    • উচ্চ তাপ পরিবাহিতার কারণে, এটি একটি উচ্চ শক্তি লেজার আয়না হিসাবে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত
    ▶সিলিকন জানালার একটি চকচকে ধাতব পৃষ্ঠ থাকে;এটি প্রতিফলিত করে এবং শোষণ করে কিন্তু দৃশ্যমান অঞ্চলে প্রেরণ করে না।
    ▶সিলিকন উইন্ডোজ পৃষ্ঠের প্রতিফলনের ফলে ট্রান্সমিট্যান্স 53% কমে যায়।(27% এ পরিমাপকৃত ডেটা 1 পৃষ্ঠের প্রতিফলন)

    ট্রান্সমিশন রেঞ্জ: 1.2 থেকে 15 μm (1)
    প্রতিসরাঙ্ক : 3.4223 @ 5 μm (1) (2)
    প্রতিফলন ক্ষতি: 5 μm এ 46.2% (2টি পৃষ্ঠ)
    শোষণ গুণাঙ্ক : 0.01 সেমি-13 μm এ
    রেস্টস্ট্রাহলেন পিক: n/a
    dn/dT: 160 x 10-6/°সে (৩)
    dn/dμ = 0 : 10.4 μm
    ঘনত্ব: 2.33 গ্রাম/সিসি
    গলনাঙ্ক : 1420 °সে
    তাপ পরিবাহিতা : 163.3 ওয়াট মি-1 K-1273 K এ
    তাপ বিস্তার : 2.6 x 10-6/ 20 ডিগ্রি সেলসিয়াসে
    কঠোরতা: নূপ 1150
    নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা : 703 জে কেজি-1 K-1
    ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক : 10 GHz এ 13
    ইয়াংস মডুলাস (E): 131 জিপিএ (4)
    শিয়ার মডুলাস (G): 79.9 জিপিএ (4)
    বাল্ক মডুলাস (কে): 102 জিপিএ
    ইলাস্টিক সহগ: C11=167;গ12=65;গ44=80 (4)
    আপাত ইলাস্টিক সীমা: 124.1MPa (18000 psi)
    পয়সন অনুপাত: 0.266 (4)
    দ্রাব্যতা: পানিতে অদ্রবণীয়
    আণবিক ভর : ২৮.০৯
    শ্রেণী/গঠন: ঘন হীরা, Fd3m

    1