BGSe (BaGa4Se7) এর উচ্চ-মানের স্ফটিক হল চ্যালকোজেনাইড যৌগ BaGa4S7 এর সেলেনাইড অ্যানালগ, যার অ্যাসেন্ট্রিক অর্থরহম্বিক গঠন 1983 সালে চিহ্নিত করা হয়েছিল এবং 2009 সালে IR NLO প্রভাব রিপোর্ট করা হয়েছিল, এটি একটি নতুন উন্নত IR NLO স্ফটিক।এটি ব্রিজম্যান-স্টকবার্গার কৌশলের মাধ্যমে প্রাপ্ত হয়েছিল।এই স্ফটিকটি 0.47-18 μm এর বিস্তৃত পরিসরে উচ্চ ট্রান্সমিট্যান্স প্রদর্শন করে, প্রায় 15 μm এ শোষণের শিখর ছাড়া।
(002) পিক রকিং বক্ররেখার FWHM প্রায় 0.008° এবং একটি পালিশ করা 2 মিমি পুরু (001) প্লেটের মাধ্যমে ট্রান্সমিট্যান্স 1-14 μm বিস্তৃত পরিসরের প্রায় 65%।বিভিন্ন থার্মোফিজিকাল বৈশিষ্ট্য স্ফটিকের উপর পরিমাপ করা হয়েছিল।
BaGa4Se7-এ তাপীয় সম্প্রসারণ আচরণ αa=9.24×10−6 K−1, αb=10.76×10−6 K−1, এবং αc=11.70×10−6 K−1 তিনটি স্ফটিক অক্ষ বরাবর শক্তিশালী অ্যানিসোট্রপি প্রদর্শন করে না .298 K তে পরিমাপ করা তাপীয় ডিফিউসিভিটি/তাপ পরিবাহিতা সহগ হল 0.50(2) mm2 s−1/0.74(3) W m−1 K−1, 0.42(3) mm2 s−1/0.64(4) W m−1 K−1, 0.38(2) mm2 s−1/0.56(4) W m−1 K−1, যথাক্রমে a, b, c ক্রিস্টালোগ্রাফিক অক্ষ বরাবর।
উপরন্তু, 5 ns পালস প্রস্থ, 1 Hz ফ্রিকোয়েন্সি এবং D = 0.4 মিমি স্পট আকারের শর্তে একটি Nd:YAG (1.064 μm) লেজার ব্যবহার করে পৃষ্ঠের লেজারের ক্ষতির থ্রেশহোল্ড 557 MW/cm2 পরিমাপ করা হয়েছিল।
BGSe (BaGa4Se7) ক্রিস্টাল একটি পাউডার সেকেন্ড হারমোনিক জেনারেশন (SHG) প্রতিক্রিয়া প্রদর্শন করে যা AgGaS2 এর প্রায় 2-3 গুণ।পৃষ্ঠ লেজার ক্ষতি থ্রেশহোল্ড অভিন্ন অবস্থার অধীনে AgGaS2 ক্রিস্টালের প্রায় 3.7 গুণ।
BGSe ক্রিস্টালের একটি বড় অরৈখিক সংবেদনশীলতা রয়েছে, এবং মধ্য-IR বর্ণালী অঞ্চলে ব্যবহারিক প্রয়োগের বিস্তৃত সম্ভাবনা থাকতে পারে।
IR লেজার আউটপুট জন্য সুবিধা:
বিভিন্ন পাম্পিং উৎসের জন্য উপযুক্ত (1-3μm)
প্রশস্ত টিউনযোগ্য IR আউটপুট পরিসীমা (3-18μm)
OPA, OPO, DFG, ইন্ট্রাক্যাভিটি/এক্সট্রাভিটি, সিডব্লিউ/পালস পাম্পিং
গুরুত্বপূর্ণ বিজ্ঞপ্তি: যেহেতু এটি একটি নতুন ধরনের ক্রিস্টাল, ক্রিস্টালের ভিতরে কয়েকটি রেখা থাকতে পারে, তবে এই ত্রুটির কারণে আমরা ফেরত গ্রহণ করি না।
