AGSe স্ফটিক

AGSe AgGaSe2 ক্রিস্টালের ব্যান্ড প্রান্ত 0.73 এবং 18 µm।এর দরকারী ট্রান্সমিশন রেঞ্জ (0.9-16 µm) এবং প্রশস্ত ফেজ ম্যাচিং ক্ষমতা বিভিন্ন লেজার দ্বারা পাম্প করা হলে OPO অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য চমৎকার সম্ভাবনা প্রদান করে।Ho:YLF লেজার দ্বারা 2.05 µm এ পাম্প করার সময় 2.5-12 µm এর মধ্যে টিউনিং পাওয়া গেছে;পাশাপাশি 1.4-1.55 µm এ পাম্প করার সময় 1.9–5.5 µm এর মধ্যে নন-ক্রিটিকাল ফেজ ম্যাচিং (NCPM) অপারেশন।AgGaSe2 (AgGaSe2) ইনফ্রারেড CO2 লেজার বিকিরণের জন্য একটি দক্ষ ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ স্ফটিক হিসাবে প্রদর্শিত হয়েছে।

স্ফটিক গঠন:টেট্রাগোনাল

সেল প্যারামিটার:a=5.992 Å, c=10.886 Å

গলনাঙ্ক:851 °সে

ঘনত্ব:5.700 গ্রাম/সেমি3

মোহস কঠোরতা:3-3.5

শোষণ গুণাঙ্ক: <0.05 সেমি-1 @ 1.064 µm
<0.02 সেমি-1 @ 10.6 µm

আপেক্ষিক অস্তরক ধ্রুবক @ 25 MHz:ε11s=10.5
ε11t=12.0

তাপ সম্প্রসারণ সহগ:||C: -8.1 x 10-6 /°C
⊥C: +19.8 x 10-6 /°C

তাপ পরিবাহিতা :1.0 W/M/°C

হোয়াটসঅ্যাপ আমাদের ইমেইল পাঠান PDF হিসেবে ডাউনলোড করুন