EO Q স্যুইচ এর মধ্য দিয়ে যাওয়া আলোর মেরুকরণ অবস্থাকে পরিবর্তন করে যখন একটি প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ একটি ইলেক্ট্রো-অপ্টিক স্ফটিক যেমন KD*P-এ বায়ারফ্রিংজেন্স পরিবর্তনকে প্ররোচিত করে।পোলারাইজারের সাথে ব্যবহার করা হলে, এই কোষগুলি অপটিক্যাল সুইচ বা লেজার Q-সুইচ হিসাবে কাজ করতে পারে।
আমরা উন্নত ক্রিস্টাল ফ্যাব্রিকেশন এবং লেপ প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে EO Q-সুইচ প্রদান করি, আমরা বিভিন্ন ধরনের লেজার তরঙ্গদৈর্ঘ্যের EO Q সুইচ অফার করতে পারি যা উচ্চ ট্রান্সমিশন (T>97%), উচ্চ ক্ষতিগ্রস্ত থ্রেশহোল্ড (>500W/cm2) এবং উচ্চ বিলুপ্তির অনুপাত প্রদর্শন করে। (>1000:1)।
অ্যাপ্লিকেশন:
• OEM লেজার সিস্টেম
• মেডিকেল/কসমেটিক লেজার
• বহুমুখী R&D লেজার প্ল্যাটফর্ম
সামরিক এবং মহাকাশ লেজার সিস্টেম
বৈশিষ্ট্য | সুবিধা |
CCI গুণমান - অর্থনৈতিকভাবে মূল্য | ব্যতিক্রমী মান |
সর্বোত্তম স্ট্রেন-মুক্ত KD*P | উচ্চ বৈসাদৃশ্য অনুপাত |
উচ্চ ক্ষতি থ্রেশহোল্ড | |
কম 1/2 তরঙ্গ ভোল্টেজ | |
স্থান দক্ষ | কমপ্যাক্ট লেজারের জন্য আদর্শ |
সিরামিক অ্যাপারচার | পরিষ্কার এবং অত্যন্ত ক্ষতি-প্রতিরোধী |
উচ্চ বৈসাদৃশ্য অনুপাত | ব্যতিক্রমী হোল্ড-অফ |
দ্রুত বৈদ্যুতিক সংযোগকারী | দক্ষ/নির্ভরযোগ্য ইনস্টলেশন |
আল্ট্রা-ফ্ল্যাট স্ফটিক | চমৎকার মরীচি প্রচার |
1/4 ওয়েভ ভোল্টেজ | 3.3 কেভি |
প্রেরিত তরঙ্গ সামনে ত্রুটি | < 1/8 তরঙ্গ |
আইসিআর | >2000:1 |
ভিসিআর | >1500:1 |
ক্যাপাসিট্যান্স | 6 পিএফ |
ক্ষতি থ্রেশহোল্ড | > 500 মেগাওয়াট/সেমি2@1064nm, 10ns |