গ্যাপ
গ্যালিয়াম ফসফাইড (GaP) ক্রিস্টাল হল একটি ইনফ্রারেড অপটিক্যাল উপাদান যা ভাল পৃষ্ঠের কঠোরতা, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং প্রশস্ত ব্যান্ড ট্রান্সমিশন।এর চমৎকার ব্যাপক অপটিক্যাল, যান্ত্রিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যের কারণে, গ্যাপ স্ফটিক সামরিক এবং অন্যান্য বাণিজ্যিক উচ্চ প্রযুক্তি ক্ষেত্রে প্রয়োগ করা যেতে পারে।
| মৌলিক বৈশিষ্ট্য | |
| স্ফটিক গঠন | জিঙ্ক ব্লেন্ড |
| প্রতিসাম্যের গোষ্ঠী | Td2-F43মি |
| 1 সেন্টিমিটারে পরমাণুর সংখ্যা3 | 4.94·1022 |
| Auger পুনর্মিলন সহগ | 10-30সেমি6/s |
| ডেবাই তাপমাত্রা | 445 কে |
| ঘনত্ব | 4.14 গ্রাম সেমি-3 |
| অস্তরক ধ্রুবক (স্ট্যাটিক) | 11.1 |
| অস্তরক ধ্রুবক (উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি) | 9.11 |
| কার্যকরী ইলেক্ট্রন ভরml | 1.12mo |
| কার্যকরী ইলেক্ট্রন ভরmt | 0.22mo |
| কার্যকরী গর্ত ভরmh | 0.79mo |
| কার্যকরী গর্ত ভরmlp | 0.14mo |
| ইলেক্ট্রন সম্বন্ধ | 3.8 eV |
| জালি ধ্রুবক | 5.4505 ক |
| অপটিক্যাল ফোনন শক্তি | 0.051 |
| প্রযুক্তিগত পরামিতি | |
| প্রতিটি উপাদানের পুরুত্ব | 0.002 এবং 3 +/-10% মিমি |
| ওরিয়েন্টেশন | 110 - 110 |
| পৃষ্ঠের গুণমান | scr-dig 40-20 — 40-20 |
| সমতলতা | তরঙ্গ 633 nm - 1 |
| সমান্তরালতা | arc min <3 |
