HgGa2S4 ক্রিস্টাল

লেজারের ক্ষতির থ্রেশহোল্ড এবং রূপান্তর দক্ষতার উচ্চ মান মার্কারি থিওগালেট HgGa ব্যবহার করার অনুমতি দেয়₂S₄(HGS) ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ করার জন্য অ-রৈখিক স্ফটিক এবং OPO/OPA তরঙ্গদৈর্ঘ্য 1.0 থেকে 10 µm পর্যন্ত।এটি প্রতিষ্ঠিত হয়েছিল যে CO-এর SHG দক্ষতা₂4 মিমি দৈর্ঘ্য HgGa জন্য লেজার বিকিরণ₂S₄উপাদান প্রায় 10% (নাড়ির সময়কাল 30 এনএস, বিকিরণ শক্তি ঘনত্ব 60 মেগাওয়াট/সেমি²)উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা এবং বিকিরণ তরঙ্গদৈর্ঘ্য টিউনিংয়ের বিস্তৃত পরিসর আশা করতে দেয় যে এই উপাদানটি AgGaS এর সাথে প্রতিযোগিতা করতে পারে₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂এবং বড় আকারের স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার যথেষ্ট অসুবিধা সত্ত্বেও GaSe স্ফটিক।
অ্যাপ্লিকেশন:
• CO এবং CO2-তে জেনারেশন দ্বিতীয় হারমোনিক্স - লেজার
• মধ্যম ইনফ্রারেড অঞ্চলে বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর।
• অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
• মধ্যম IR অঞ্চলে ফ্রিকোয়েন্সি মিক্সিং